Micro Control 是世界范圍內(nèi)老化測(cè)試的。并提供基于溫控的，對(duì)于高功率器件老化測(cè)試的解決方案。以及對(duì)于邏輯和存儲(chǔ)類等低壓器件的老化測(cè)試解決方案。跟機(jī)或單獨(dú)訂購(gòu)的老化測(cè)試板，都可以適用于大多數(shù)種類的器件。
產(chǎn)品
HPB-5B | |
| 具備對(duì)于每顆芯片的溫控功能，支持單顆芯片功率為150w | |
| 每塊測(cè)試版可設(shè)定為的測(cè)試區(qū) | |
| 24個(gè)溫度控制通道 | |
| 每塊測(cè)試板支持128個(gè)數(shù)字式I/O接口 | |
| 測(cè)試芯片溫度到150攝氏度 | |
| 程序可設(shè)置溫度為150攝氏度 | |
| 每塊測(cè)試板中，擁有11組可編程電壓輸入 | |
| 每塊測(cè)試板，提供800安培的功耗 | |
| 基于ASIC結(jié)構(gòu)的的引腳時(shí)序，測(cè)試以及數(shù)據(jù)模式 | |
| 8個(gè)運(yùn)行時(shí)序設(shè)置 | |
| 系統(tǒng)支持384個(gè)芯片同時(shí)測(cè)試 | |
LC-2 | |
| 可對(duì)種類多樣的芯片進(jìn)行老化測(cè)試，諸如ASICs, FPGAs,圖像處理芯片以及通信芯片 | |
| 具備對(duì)于每顆芯片的溫控功能，支持單顆芯片功率為20w | |
| 具備64個(gè)測(cè)試板的大容量系統(tǒng) | |
| 每塊測(cè)試板支持128個(gè)數(shù)字式個(gè)I/O接口 | |
| 的引腳時(shí)序，測(cè)試以及格式 | |
| 測(cè)試板規(guī)格為12 1/2" × 24" | |
| 16個(gè)測(cè)試模式區(qū)域 | |
| 每塊測(cè)試版支持250安培的程序電源設(shè)置 | |
HPB-4 | |
| 具備對(duì)于每顆芯片的溫控功能，支持單顆芯片功率為600w | |
| 測(cè)試芯片溫度到150攝氏度 | |
| 每塊測(cè)試板支持128個(gè)數(shù)字式I/O接口 | |
| 每塊測(cè)試板中，擁有6組可編程電壓輸入 | |
| 每塊測(cè)試板，提供1600安培的功耗 | |
| 對(duì)測(cè)試芯片提供液冷的撒熱方式 | |
| 提供power clamp模式的電壓調(diào)節(jié)功能 | |
| 系統(tǒng)支持112個(gè)芯片同時(shí)測(cè)試 | |
LC-1 | |
| 可對(duì)種類多樣的芯片進(jìn)行老化測(cè)試，諸如閃存芯片，DRAMS，SDRAMSY以及中等功耗的邏輯器件 | |
| 具備64個(gè)測(cè)試板的大容量系統(tǒng) | |
| 每塊測(cè)試板支持128個(gè)數(shù)字式個(gè)I/O接口 | |
| 的引腳時(shí)序，測(cè)試以及格式 | |
| 測(cè)試板規(guī)格為12 1/2" × 24" | |
| 16個(gè)測(cè)試模式區(qū)域 | |
| 每塊測(cè)試版支持60安培的可編程電源控制 | |
| 每塊測(cè)試版支持120安培的可編程電源控制(可選功能) | |
測(cè)試版模塊 | |
| 根據(jù)不同的老化測(cè)試需求，可提供包括端溫度以及不間斷測(cè)試在內(nèi)的測(cè)試板 | |
| 提供2層以及以上的厚度的測(cè)試板 | |
| 支持200攝氏度 | |
| 鍍金的連接件 | |
