詢價
- 是否全新：全新
- 測量方式：平面測量
- 輸入阻抗：﹥1000MΩ
- 量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔
- 探針機械游率：±0.3%
四探針電阻率儀 型號:KDY-1 庫號：D236901 四探針電阻率儀 型號:KDY-1 庫號：D236901
（1）儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
（2）范：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，辨率為10-4歐姆·厘米
方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小辨率為10-3歐姆/□
（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等
可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜
可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測量方式：平面測量。
（5）電壓表：雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化
A.電流表量程0~199.99 mV，電壓表量程0~19.999 mV
B.電壓靈敏度：1μv和10μv
C.基本誤差±(0.004%讀數+0.01%滿度)
D.輸入阻抗﹥1000MΩ
E. 4 1/2位數字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，由交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔
C.恒流源：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測試
測量電阻率的小游移探針頭,實用號ZL 03 2 74755.1。使用幾何尺寸十的紅寶石軸承，量具的硬質合金探針，在寶石導孔內運動，持久，高。
A.間距1.59㎜
B.探針機械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部之間的緣電阻大于109歐姆。
（8）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。
（9）
電器：1-1000歐姆≤0.3 %
整機測量：1-500歐姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W
四探針電阻率儀 型號:KD09-KDY-1四探針電阻率儀 型號:KD09-KDY-1
（1）儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
（2）范：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，辨率為10-4歐姆·厘米
方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小辨率為10-3歐姆/□
（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等
可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜
可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測量方式：平面測量。
（5）電壓表：雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化
A.電流表量程0~199.99 mV，電壓表量程0~19.999 mV
B.電壓靈敏度：1μv和10μv
C.基本誤差±(0.004%讀數+0.01%滿度)
D.輸入阻抗﹥1000MΩ
E. 4 1/2位數字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，由交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔
C.恒流源：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測試
測量電阻率的小游移探針頭,實用號ZL 03 2 74755.1。使用幾何尺寸十的紅寶石軸承，量具的硬質合金探針，在寶石導孔內運動，持久，高。
A.間距1.59㎜
B.探針機械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部之間的緣電阻大于109歐姆。
（8）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。
（9）
電器：1-1000歐姆≤0.3 %
整機測量：1-500歐姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W
