刻蝕設備在半導體行業中占據著至關重要的地位，可以實現納米級的精密刻蝕。對復雜微結構的器件加工，微電子器件的制造提供重要支持，在芯片領域發揮著關鍵作用。
設備尺寸：1200*1500*1800mm。
極限真空：優于≤8.0×10-5Pa。
樣品尺寸：6英寸向下兼容。
刻蝕類型：物理刻蝕。
刻蝕氣體：Ar、O2。
刻蝕氣體流量：0~100sccm。
離子源類型：考夫曼直流離子源，角度可調。
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