結構
一個NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個N型 MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的是位于的MOS電容，而左右兩側則是它的源與漏。源與漏的特性須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源與漏上標示的“N+”代表著兩個意義：⑴N代表摻雜（d）在源與漏區域的雜質性為N；⑵“+”代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily d region），也就是此區的電子濃度遠高于其他區域。在源與漏之間被一個性相反的區域隔開，也就是所謂的基（或稱基體）區域。如果是NMOS，那么其基體區的摻雜就是P型。反之對PMOS而言，基體應該是N型，而源與漏則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）。基體的摻雜濃度不需要如源或漏那么高，故在右圖中沒有“+”。
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在柵上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數載流子—電子可以從源流向漏。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源與漏之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源與漏為P型、基體則是N型。在PMOS的柵上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載流子—空穴則可以從源流向漏。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源和漏間流動。要說明的是，源在MOSFET里的意思是“提供多數載流子的來源”。對NMOS而言，多數載流子是電子；對PMOS而言，多數載流子是空穴。相對的，漏就是接受多數載流子的端點。溫馨提示：
為了保障買家的利益，請咨詢后再付款。電子元件是型的產品，技術含量較高，由于本身可能存在著多種品牌，后輟與封裝，所以可能導致參數與性能的差異，部分產品是以小包裝或者沒拆包裝出售等問題，請您在購買我們元件前，將您所需產品的品牌、封裝，后輟，規格跟店家聯系落實后再進行交易！
我們擁有的質量管理體系，所銷產品均為原裝（原廠原包裝），合歐盟 RoHS指令 ,可出具性和ROHS（SGS）。
