操作模式
NMOS的漏電流與漏電壓之間在不同VGSVth的關系MOSFET在線性區(qū)操作的截面圖MOSFET在飽和區(qū)操作的截面圖依照在MOSFET的柵、源，與漏等三個端點施加的“偏壓”（bias）不同，一個常見的加強型（enhancement mode）N型 MOSFET有下列三種操作區(qū)間：截止或次臨限區(qū)（cut-off or sub-threshold region） 當柵和源間的電壓VGS（G代表柵，S代表源）小于一個稱為臨界電壓（threshold voltage,Vth）的值時，這個MOSFET是處在“截止”（cut-off）的狀態(tài)，電流無法流過這個MOSFET，也就是這個MOSFET不導通。但事實上當VGS>Vth、且VDS=0，一些擁有大量MOSFET的集成電路產(chǎn)品，如DRAM，次臨限電流往往會造成額外的能量或功率消耗。溫馨提示：
為了保障買家的利益，請咨詢后再付款。電子元件是型的產(chǎn)品，技術含量較高，由于本身可能存在著多種品牌，后輟與封裝，所以可能導致參數(shù)與性能的差異，部分產(chǎn)品是以小包裝或者沒拆包裝出售等問題，請您在購買我們元件前，將您所需產(chǎn)品的品牌、封裝，后輟，規(guī)格跟店家聯(lián)系落實后再進行交易！
我們擁有的質(zhì)量管理體系，所銷產(chǎn)品均為原裝（原廠原包裝），合歐盟 RoHS指令 ,可出具性和ROHS（SGS）。
